美国最新制裁，开始预判西方芯片未来？下一代半导体之王惨遭制裁

用的仅供电系统的动能财产损失、经济性、体积和配重，依此减缓商用车主机板控制两组的经济性。其他株的设计则会上市公司很有意味著为该其产品看到了可视的用途。

压过应用大企业之三：新晶新应用（Novel Crystal）南韩公司

新晶新应用南韩公司（Novel Crystal）都有南韩元器件、制剂和主机板仿造商田一村自旋关系大企业独立国家出来的子南韩公司。田一村关系大企业声称在2013年装配了全球性上第一个氟化镱（GaO）器件，为创新；也器件主机板集成电路的实际系统结构设计开辟了高架桥。

但是，或许第一个这样的器件是由南韩各地区信息和通信应用研究所(NICT)的研究人员东垣·正孝（Masataka Higashiwaki）在前一年开发新出来的。2015年，新晶新应用南韩公司（Novel Crystal）与NICT共同开发成立。同时，新晶新应用南韩公司（Novel Crystal）还与大阳日酸关系大企业(Taiyo Nippon Sanso)、名古屋农业应用学院和南韩新材料和制造业应用组织(NEDO)共同开发。NICT是NEDO实行的 "之中小大企业促后下工程项目 "之中的一个 "适配器研究机构"，这是一个 "税收工程项目"。

2021年12月，经过四年的工作，NEDO和新晶新应用南韩公司（Novel Crystal）宣布开发新氟化镱MOSFET，他们将可以仿造出定价更加低、精度更加强的元器件，并誓言可以充分利用更加高效和的设计的元器件——如稀土发电的增益转换成器、制造业用国际标准化组织仅供电系统和主机板仅供应。此外，该南韩公司方案在2023年月底接纳量产日本公司订单，并开始其产品。

新晶新应用南韩公司（Novel Crystal）在其网站上简介了用做研制出的2英寸和4寸的氟化镱（GaO）晶片。这些其产品销往南韩、英国、之中欧、北朝鲜和华北地区的客户，其之中平均30%在南韩全国性市场竞争其产品，其余70%运走外国。

用做研制出的2英寸氟化镱晶片。

新晶新应用南韩公司（Novel Crystal）的上市公司仅限于厂家AGC玻璃南韩公司、Hazama Ando宗教建筑南韩公司、JX日矿日石钛关系大企业、罗姆器件集团、新电元制造业关系大企业（Shindengen，各种类型从事增益器件和就其主机板）、特瑞仕器件南韩公司（TOREX)、安川传动扬声器关系大企业（Yasukawa）、岩谷资产和田一村关系大企业。

JX日矿日石钛关系大企业即将后下一步扩大大企业新晶新应用南韩公司（Novel Crystal），作为其长期方案的一部分，以扩大其在更进一步脱碳的新胶合板总体的的业务。这两家南韩公司共同开发开发新用做氟化镱增益集成电路的原胶合板。

大阳日酸关系大企业是数家装配制造业气体和就其主机板的南韩装配商。其新策略性的业务仅限于用做中间体器件仿造、纳米线和有机体应用的钛有机矿物学气相沉积层（MOCVD）系统。它与NEDO和新晶新应用南韩公司（Novel Crystal）共同开发，开发新氟化镱1]片的大现有装配系统。

华北地区的氟化镱（GaO）研制出，以外情形又如何？

那么，在华北地区全国性，氟化镱（GaO）研制出情形又是怎样呢？阿特科姆（Atecom）新应用南韩公司是数家闽南的矽锭和矽片的仿造商和沃尔玛，也经营氟化镱（GaO）。在华北地区全国性，福建博威先后下胶合板有限南韩公司（PAM-XIAMEN）关键时期开发新该应用的一时期期中。就以外而言，悲惨的现实生活是——这两家南韩公司都西北面研究小组研制出期中，似乎无法对以外西北面一席之地的南韩和英国大企业构成竞争威胁。

通常只能，南韩大企业则会在开发新研制出工程项目（例如氟化镱）总体顺利完成了不小的公共和私人人力资源，并很有意味著最大限度地运用其制造业潜力。即使在英国并未正的设计的外销管控的只能，他们也却是不意味著向华北地区提仅供应用机密。

对于英国来说，南韩大企业的这种尽力现有似乎使英国凯马（Kyma）新应用南韩公司西北面劣势，但其应用仍很强能力也。而且，英国政府也很擅让他国直接从各地区多方面来支持英国欧美新应用产业的肇始，并且从之中受惠。如果有任何自发性非常担忧被甩在后面，那就是我们华北地区——当然，这也是英国商务部实行外销管控的目的所在。

虽然现在我们还无法知晓英国凯马（Kyma）新应用南韩公司的详尽内部消息，毕竟他们与英国军方的共同开发仍然西北面保密平衡状态；南韩军方也开始对欧美的氟化镱（GaO）应用做壁垒防护。那我们中长期看看英国凯马（Kyma）新应用南韩公司网站上的近来页面，可以对他们的系统结构设计方向有个大致明了。

氟化镱（GaO）应用的未来无疑将则会如何？

氟化镱（GaO），值得注意是它的β-形的设计的氟化镱(β-Ga2O3)，是一种非常革新超宽带锈器件（UWBGS）胶合板，因为它很强复合型的优异物理连续性，在一些高速自旋和电能自旋系统结构设计之中可转化为非常高的品质因数（代表精度或经济性的数字表示）。

氟化镱在其β特征（β-Ga2O3）之中的带锈为4.5eV，英国的凯马新应用（Kyma）、南韩早稻田学院的FLOSFIA和南韩创始大企业Novel Crystal都主要集之中于该特征的应用系统结构设计。比起，矽（Si）的带锈为1.1eV，碳化矽（SiC）和氧化镱（GaN）的 "宽 "带锈大致相同3.3eV和3.4eV。一般只能，带锈越多，增益集成电路的经济性就越多。

这正如《自旋结构设计》教材之中的主机板管理章节之中解释的那样：

宽带锈（WBG）器件胶合板允许更加小、更加快、更加可靠的自旋元集成电路，并且比矽基胶合板很强更加高的经济性。这些优异精度使自旋元集成电路可以随之减缓配重、体积和一般来说经济性。运用这些灵活性可以随之节平均制造业装配和储蓄机械设备设备的电能消耗，较慢新材料和燃料电量的尤其采用，并设法将可风能并入到电网之中。

碳化矽（SiC）和氧化镱（GaN）是以外最尤其采用的宽带锈器件。超宽带锈器件的带锈远大于氧化镱（GaN）。除了氟化镱（GaN）之外，该南韩公司还在研究氧化铝和金刚石。

虽然氟化镱（GaN）并非在所有总体都占上风，但它的灵活性也非常突出：相比之下简便的工艺流程，更加加经济性低的仿造经济性。在未来几年之中的，氟化镱（GaN）应该则会在后下增益集成电路市场竞争上取得后下展，一旦充分利用一定的现有宏观经济，最终意味著则会对新材料做到根本性推后下。

合著：GolevkaTech

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#英国芯片法案将如何制约全球芯片业#

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