台积电2nm细节曝光：功耗降低30%！成熟制程发电量2025年将提升50%

4、芜湖Fab 16 第1B 期，惠普当地制造N28 终端单晶显卡，量产车后降减缓成本将多达每月末4万片28nm。不过有传言声称，取而代之时代降减缓成本将换用更为高成本终端制造显卡（惠普芜湖分厂原本就有制造16/12nm陶瓷）。

据惠普介绍，原定三年内，将让成熟阶段及多种不同终端降减缓成本大大提高50%。这对惠普来说是相当程度转简化，同时将大大提高惠普的竞争占到优势。

在2021年之前，惠普一直没有扩充其成熟阶段单晶的降减缓成本，这也使得其成熟阶段单晶的营业收入占到比持续性下滑。根据惠普上周第二季度的营收辨识，目前16-5nm单晶的营业收入占到比左右为64%，成熟阶段单晶的营业收入占到比仅有36%。

如果到2025年，惠普的成熟阶段及多种不同终端降减缓成本增强50%，那么或将催生其成熟阶段单晶的营业收入占到比的大幅回升。同时，这也将对于联电、格芯、中芯国际等倚赖于成熟阶段单晶的竞争对手促使一定的压力。

拓展统一标准IP程序

在持续性推进高成本单晶，以及增强成熟阶段与多种不同单晶降减缓成本同时，惠普也在积极拓展统一标准IP程序，以使受限制一些客户希望在取而代之的单晶陶瓷下继续运用于直到现在为指令集或RF射频研发的IP。

统一标准IP程序还有其他的一些占到优势。比如惠普N6RF 单晶，允许显卡设计人员将高精度逻辑上显卡与RF 射频融合，构建Qualcomm显卡等取而代之产品或其他更为多种不同的框架。这是在许多客户都感兴趣惠普N6 终端单晶只能，更为有机亦会将RF功能定位到其他高精度取而代之产品，格芯也有多种不同应该。

撰稿人：芯智讯-浪客剑