台积电3nm工艺定档：八月正式开启量产车，一堆新品今年错过

MOS的5nm生产工艺从前年中国联通麒麟9000开始，至今已经快两年短时间了，现有MOS最先进的微处理器生产工艺是4nm，其实也就是5nm改进而来，不算什么这一代的愈来愈新新科技。至于MOS感叹了很三木的3nm生产工艺，本来是要在去年年初年底量产，但是因为注意到了一些问题，所谓是发电量、良率或者其他新科技损坏，所以MOS也不得不数度推迟3nm生产工艺年底量产的短时间。

早先曾有传闻感叹MOS将3nm延期到上半年量产，不过看来上半年也是有点渴望了，所以这也让不少新厂家直接错过了MOS的3nm生产工艺，只能一直使用MOS的5nm或者4nm生产工艺，比如iPad的iPhone 14，如果按照原计划是可以用MOS的3nm生产工艺的，但以前最少也只能请注意MOS的4nm生产工艺了。

不过以前从前MOS在3nm上已经有了不小的超越，将于去年8月份在新竹市12新厂研发中心第八期工新厂及南科18新厂P5新厂同步投片量产。之后MOS曾感叹过，3nm的生产工艺就会有除此以外N3、N3E、N3B等生产工艺，不过以前MOS已经确定跳到N3，直接新造N3B这一强化生产工艺，而到时则关机增强版的N3EMOS量产。这样看起来，标准的N3生产工艺有可能是有一些问题。

实际上从规格来看，MOS的确是在新科技上做了一些调整，N3B的性能和密度就让比N3要很低一些，这只不过也是N3生产工艺合作开发准确度极高的因素。N3原本是打算用25层EUV曝光层，但N3B只需要请注意21层，所以量产准确度愈来愈很低，良率也能极高，成本连续性再次下降，当然蒙受就是N3B就会比N3的密度很低8%，这样某种程度晶体管总数的前提下，微处理器的功耗和发热就会极高一些，当然高频率有可能也就会愈来愈很低一些。但即使如此，N3B相比现有5nm生产工艺，即便如此在密度上要略很低60%，这也足以让微处理器性能取得非常大的加强了。

不过有意思的是，以前看来就此在十月量产的MOS3nm厂家，并非针对所有客户服务开放日，某种程度是都由为Intel制作的一条厂家。之后Intel的CEO曾在去年底造访MOS，敦促MOS以独立发电量生产可用伺服器的CPU及GPU新厂家，避开与iPad等共用产线。而MOS也感叹过就会针对Intel创设专用的3nmMOS产线，现有来看大概率就是就此量产的这条厂家了。

这就反之亦然像iPad这样的新厂商，想要用MOS的3nm发电量就只能一直等待。至少要等MOS创设愈来愈多的3nm厂家才行，当然估摸着年底也某种程度可以搞定。不过这就完美错过了很多微处理器，除此以外iPad的A16、M2等微处理器，这些iPad的微处理器大概率都就会用MOS4nm制作；另外像高通愈来愈进一步的骁龙8微处理器，因为要在去年年底面世，预估很难用上3nm，其他除此以外联发科、少时等MOS的客户服务，可能也一样，想要3nmMOS，更快都得等到到时，而且负责任是排在iPad和Intel右方。

现有可以负责任，到时iPad在iPhone上A17微处理器基本就就会是3nmMOS了，如果去年愈来愈新M2微处理器，到时年底或者后年能愈来愈新到M3微处理器的话，负责任也是就会有3nm了，那个时候iPad的微处理器在性能和结构上上只不过就会迈入很大的形态。另外到时Intel和AMD个别一些新厂家有可能也就会开始向改向MOS的3nm生产工艺，高通到时的第三代骁龙8微处理器，不出意外也就会是3nm。所以MOS虽然十月就开始量产3nm微处理器，但是我们要到到时才能看到各个新厂商的3nm微处理器问世。

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